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这个功率MOSFET的较新发展意法半导体*特的“单一特征尺寸”?strip-based过程。由此产生的晶体管显示了低onresistance较高的存储密度，崎岖的雪崩和特征因此少关键调整步骤非凡的制造业重现性**较大额定参数符号参数值单位VDS漏源较电压60 V(vg = 0)vg门——电压源±20 VID漏较电流(连续)TC 60 = 25°CID漏较电流(连续)TC = 100°C 42dm1。脉冲宽度限制安全操作区域。漏较电流(脉冲)240Ptot总耗散在TC 110 W = 25°C降额因子0.73 W /°C

dv / dt。ISD≤60，di / dt≤300 /μs VDD≤V(BR)DSS 代理IRF2807电源IC ，Tj≤TJMAX恢复二极管峰值电压斜坡10 V / ns东亚峰会。开始Tj = 25°C 代理VIPER12A电源IC ，ID = 30，VDD = 40 v

TSM103是一个单片集成电路，包括一个独立的运放，另一个运算放大器非反相输入连接到2.5 v的吗固定的参考电压。该设备提供了空间和节约成本等许多应用程序电源管理和数据采集系统低输入偏置电压:0.5 mvTyp。低电源电流:350μa / op。(@ VCC = 5 v)介质的带宽(单位增益):0.9 mhz大输出电压摆幅:0 v(VCC - 1.5 v)输入共模电压范围包括地面宽电源范围:3 - 32 v±1.5±16 v

1.5千伏ESD保护参考电压固定输出电压参考2.5 v电压精度±0.4%±0.4%反向电流能力:1 - 100 ma典型的输出阻抗:0.2?意见与反馈翻译结果评分： 参加有道翻译用户满意度调查！